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Vishay亮相PCIM Asia 2026 展出AI基礎設施與物理AI全套電源解決方案

發布時間:2026-08-26 來源:轉載 責任編輯:lijiahuan

【導讀】隨著AI算力基礎設施規模化落地、物理AI及智能車載、人形機器人等新興場景快速迭代,市場對高效率、高可靠、耐高溫的功率半導體與無源器件需求持續激增。在2026上海PCIM Asia展會上,知名電子元器件廠商Vishay集中展出覆蓋電網、設備板卡、終端應用的全鏈路電源技術與參考設計,全面適配AI基礎設施、軟件定義汽車、人形機器人、新能源充電系統等核心領域,為高端電力電子系統升級提供成熟硬件方案。


通過一系列參考設計和產品演示,Vishay重點展示廣泛的半導體和無源技術,包括從電網到板卡級的AI供電、軟件定義汽車以及人形機器人等領域


美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2026年8月26日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,Vishay亮相PCIM Asia 2026,集中展示最新半導體和無源器件技術。誠邀您蒞臨16號展廳C12展位,現場了解Vishay為AI基礎設施和物理AI應用領域快速演進的需求所量身打造的產品及參考設計。


圍繞完整的AI電源架構,Vishay重點呈現從電網級電源基礎設施到電路板級系統供電的參考設計與產品組合。展示方案覆蓋固態變壓器(SST)、DC/DC電源(PSU)、高壓直流(HVDC)、DC/DC電源轉換、電池備用單元(BBU)、超級電容器備用單元(CBU)、熱插拔系統、軟件定義汽車(SDV)以及人形機器人電機控制。此外,面向下一代車輛平臺的汽車電源模塊也將同臺亮相。


在AI電網基礎設施領域,SST參考設計覆蓋輸入、直流隔離、輸出和電壓平衡級組件,包括額定值為11 μF / 1800 V的緊湊型金屬化聚丙烯DC-Link薄膜電容器;額定值高達310 μF / 2000 V的高可靠性電力電子電容器;具有高紋波電流和長使用壽命的4端子牛角式鋁電解電容器;工作電壓高達5000 V的無電感功率電阻;以及采用EMIPAK 2B封裝的SiC MOSFET功率模塊。AC/DC PSU解決方案包括用于PFC和LLC級的第五代E系列MOSFET;用于同步整流和OR-ing應用的TrenchFET? 第五代功率MOSFET;波形整流器;低正向電壓橋式整流器;具有高正向浪涌能力的玻璃鈍化整流器;針對高速硬開關鉗位保護進行優化的SiC肖特基二極管;以及用于電流檢測的大功率、低電阻Power Metal Strip?電阻器。HVDC電源轉換展品主要包括用于功率因數校正(PFC)、自舉、濾波和預充電功能的解決方案。展出的重點產品包括幾乎無反向恢復拖尾電流、開關損耗低的第四代SiC肖特基二極管,以及保證最小爬電距離為3.2 mm的貼片SiC肖特基二極管;工作溫度高達+125 °C、具有高紋波電流能力及耐高溫高濕的DC-Link薄膜電容器;以及能量吸收能力高達 300 J的PTC限流熱敏電阻。


電路板級電源方面,Vishay展出薄型 PowerPAK? SO-8DC 雙面散熱MOSFET解決方案,這些產品支持高達+175 °C的工作溫度,具有低導通電阻及低柵極和輸出電荷,可實現高效開關;還將展出用于柵極驅動應用的厚膜芯片電阻器,這些產品具備出色的脈沖負載能力、增強的功率等級以及雙面印刷電阻元件。BBU和CBU展品包括電流高達260 A、線圈與鐵芯絕緣電壓達350 VDC的扁線繞線電感器;額定電流高達150 A、線圈與磁芯絕緣電壓達1500 VDC的IHDV功率電感器;額定電流高達100 A的IHLP?功率電感器;以及輸出濾波電容器。熱插拔系統將展示額定功率達150 W、脈沖吸收能力達75 J/0.1 s的用于預充電和放電應用的功率電阻。


面向軟件定義汽車(SDV),本次展品主要包括POL轉換器、保護和電流檢測產品。重點展示的產品包括采用熱增強型PowerPAK MLP 5 x 6封裝、連續電流達50 A、峰值電流達80 A并通過AEC-Q100認證的集成功率級;具有超低ESR、在85 °C / 85 % RH條件下保持額定電壓并通過AEC-Q200認證的聚合物鉭電容器;具備7 kW浪涌保護能力和平坦鉗位電壓的汽車級TVS器件;符合OPEN Alliance規范的以太網ESD保護二極管;阻值極低的4端子電流檢測電阻器;以及用于反向保護的熱增強型MOSFET。人形機器人電機控制展品將展示采用PowerPAK SO-8和TOLL封裝并采用MOSFET實現的開關、柵極驅動電路和電流檢測,功率高達8 W的4接頭檢流電阻,以及額定工作電壓為200 V的汽車級電感器。針對電動汽車(EV)/混合動力汽車(HEV)充電站及48 V微型交通系統的汽車級電源模塊展品,重點展示兼具高隔離電壓、低導通電阻、高速開關和低電容特性的SiC MOSFET / Si MOSFET電源模塊,以及集成了電流和溫度傳感能力、采用電氣隔離式裸露DBC襯底的半橋逆變器模塊。


此外,PCIM Asia 2026現場還為大家帶來以下參考設計:


用于400 V / 800 V DC-Link電容器的帶繞線式安全電阻器和MOSFET驅動器的主動放電電路


基于WSBE Power Metal Strip? 電阻器打造的智能電池檢流模塊,該產品具有低TCR,并配備CAN FD接口,適用于400 V / 800 V系統


具有可調限流能力和DC-Link電容器預充電功能的48 V、100 A可復位電子熔絲


配備共模扼流圈以及可更換的X和Y電容器的單級、單相480 μH EMI濾波器 


適用于3.3 V系統的有源備份解決方案,該產品采用EDLC電容器,充放電電流高達2.5 A


結論

本次PCIM Asia 2026展會,Vishay依托齊全的半導體與無源器件產品矩陣,完整展示了適配新一代AI時代的電力電子技術體系。從電網級基礎設施供電、板卡高效電源轉換,到汽車智能化、人形機器人電機控制等細分場景,Vishay的產品與標準化參考設計,有效解決了高端設備高功耗、高耐壓、高可靠、小型化的設計難題。整套方案兼顧性能、穩定性與落地性,精準匹配AI基礎設施和物理AI產業的高速發展需求,為行業高端電力電子系統的迭代升級提供了扎實的技術支撐。


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