【導讀】2026 年 10 月 20 日，羅姆宣布受邀參加 10 月 12-15 日在美國圣何塞舉辦的 2026 OCP 全球峰會，亮相英偉達 “AI Factory MGX Ecosystem” 專場活動。生成式 AI 帶動 AI 服務器算力持續(xù)增長，數(shù)據(jù)中心功耗壓力隨之上升，800V 直流電源架構(gòu)憑借更低損耗、更高功率密度的優(yōu)勢，成為行業(yè)關注方向。作為英偉達生態(tài)合作伙伴，羅姆依托 SiC、GaN 功率器件以及模擬 IC 產(chǎn)品組合，支撐新一代 AI 數(shù)據(jù)中心 800VDC 供電方案開發(fā)，優(yōu)化電源轉(zhuǎn)換效率，實現(xiàn)電源系統(tǒng)小型化與節(jié)能化。
隨著生成式AI的普及和AI服務器性能的提升，數(shù)據(jù)中心的功耗不斷增加，提高供電效率已成為一項重要課題。在此背景下，新一代800V直流（800VDC）電源架構(gòu)因其能夠降低功率損耗并提升電源系統(tǒng)的功率密度而備受關注。
作為英偉達的合作伙伴，羅姆正在積極協(xié)助推進面向新一代AI數(shù)據(jù)中心的800V直流供電架構(gòu)。通過結(jié)合適用于高電壓、大功率電力轉(zhuǎn)換的SiC MOSFET和SiC功率模塊，以及具有優(yōu)異高速開關性能的GaN器件，并整合SiC、GaN、Si等廣泛的功率器件與模擬IC，羅姆致力于降低功率轉(zhuǎn)換損耗，并助力打造更緊湊、更節(jié)能的電源系統(tǒng)。
今后，羅姆將繼續(xù)深化與英偉達等生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴的合作，通過功率半導體和模擬IC技術(shù)，為實現(xiàn)高能效的下一代AI基礎設施貢獻力量。
結(jié)論
AI 算力擴張讓數(shù)據(jù)中心供電效率的重要性持續(xù)提升，800V 直流架構(gòu)成為下一代 AI 基礎設施的重要演進方向。羅姆憑借 SiC、GaN 等寬禁帶功率器件及模擬芯片能力，配合英偉達生態(tài)推進新一代電源方案。后續(xù)羅姆將持續(xù)深化產(chǎn)業(yè)協(xié)同，依靠功率半導體技術(shù)，助力打造高能效 AI 數(shù)據(jù)中心硬件體系。
