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低輻射的4開關降壓-升壓型控制器布局——單熱回路與雙熱回路
汽車應用電路必須滿足嚴格的EMI標準，以避免干擾廣播和移動服務頻段。在很多情況下，Silent Switcher?和Silent Switcher 2解決方案在滿足這些標準方面可以發(fā)揮重要作用。但是，在任何情況下，都必須要精心布局。本文專門討論4開關降壓-升壓型控制器的兩種可能解決方案，并比較EMI室的測量結果。
2021-08-12
降壓-升壓型控制器 布局
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熱阻和散熱的基礎知識：對流中的熱阻
繼上一篇文章“傳導中的熱阻”之后，本文將介紹“對流”中的熱阻。我們首先會對對流進行介紹，之后會對對流熱阻的公式進行講解。
2021-08-04
熱阻 散熱 對流
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熱阻和散熱的基礎知識：傳導中的熱阻
在上一篇文章中，介紹了熱傳遞的三種主要形式：傳導、對流和輻射。從本文開始，我們將介紹每種熱傳遞方式的熱阻。首先從“傳導”中的熱阻開始。下面將具體介紹熱能是如何在物質中通過熱傳導的方式進行轉移的。
2021-08-04
熱阻 散熱 基礎知識
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汽車電子系統(tǒng)中的電磁干擾緩解技術如何部署？
電磁干擾 (EMI) 緩解技術與車輛系統(tǒng)架構的最佳性能息息相關。車輛中的關鍵區(qū)域可能會受到 EMI 的嚴重影響并導致電子電路性能不佳，尤其是在汽車電源中，這是整個車輛電氣/電子系統(tǒng)的核心。
2021-08-02
汽車電子系統(tǒng)中 電磁干擾 緩解技術
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SMPS電感的安裝方向會影響輻射嗎？
開關模式電源(SMPS)產(chǎn)生的EMI輻射頻譜是由許多參數(shù)組成的函數(shù)，包括熱回路大小、開關速度（壓擺率）和頻率、輸入和輸出濾波、屏蔽、布局和接地。一個潛在的輻射源是開關節(jié)點，在很多原理圖上稱為SW。SW節(jié)點銅可用作天線，發(fā)射快速高效的高功率開關事件產(chǎn)生的噪聲。這是大多數(shù)開關穩(wěn)壓器的主要輻射源。
2021-08-01
SMPS電感 安裝方向 影響輻射
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柵極-源極電壓的浪涌抑制方法
在上一篇文章中，簡單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開始，將介紹針對所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對策。本文先介紹浪涌抑制電路。
2021-07-06
柵極-源極電壓 浪涌 抑制方法
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防輻射硅仍然是空間電子領域的標桿
性能、可靠性和飛行傳統(tǒng)通常是空間應用電子產(chǎn)品的主要關注點。根據(jù)任務壽命和輪廓，設計人員在某些情況下可能會考慮使用商用現(xiàn)貨 (COTS) 部件。但是 COTS 電子設備與抗輻射（rad-hard）設備有很大不同。Si MOSFET等抗輻射組件經(jīng)過設計、測試和驗證，可在最惡劣的工作條件下運行，例如長時間暴露在太...
2021-07-04
防輻射硅 空間電子
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隔離信號和電源的4個常見問題
高壓電路設計需要通過隔離來保護操作人員、與低壓電路進行通信并消除系統(tǒng)內(nèi)不必要的噪聲。數(shù)字隔離器提供了一種簡單可靠的方法，可以在工業(yè)和汽車應用中實現(xiàn)高壓隔離通信。
2021-07-03
隔離信號和電源 常見問題
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什么是柵極－源極電壓產(chǎn)生的浪涌？
MOSFET和IGBT等功率半導體作為開關元件已被廣泛應用于各種電源應用和電力線路中。其中，SiC MOSFET在近年來的應用速度與日俱增，它的工作速度非常快，以至于開關時的電壓和電流的變化已經(jīng)無法忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當SiC MOSFET本身的電...
2021-06-10
柵極 源極電壓 浪涌
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