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東芝推出高浪涌耐受 3300V SiC MOSFET 模塊 助力工業電力設備提升可靠性

發布時間:2026-09-24 來源:轉載 責任編輯:lijiahuan

【導讀】在鐵路牽引、新能源發電、大功率電力變換等工業場景中,功率模塊常會遭遇突發浪涌電流,對器件的耐受能力提出嚴苛要求。東芝近日發布型號為 IX800FXF2YMS4 的雙 SiC MOSFET 模塊,搭載第三代碳化硅芯片,額定 3300V、800A。產品明確標注二極管 I2t 指標,同時兼顧低導通損耗與開關損耗,搭配 iXPLV?封裝與銀燒結工藝,可滿足高溫工況需求,適配鐵路、儲能、工業電機控制等大功率電力轉換設備,幫助設備廠商兼顧效率、體積與運行穩定性。


中國上海,2026年9月24日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出面向工業設備的雙SiC MOSFET模塊“IX800FXF2YMS4”,進一步擴充了產品線。該模塊適用于鐵路車輛、可再生能源發電系統以及電力轉換系統等應用。新模塊搭載東芝第三代碳化硅(SiC)MOSFET芯片,漏源電壓額定值為3300V,漏極電流(DC)額定值為800A。其規格參數中標明了二極管部分的I2t極限值,該值是衡量浪涌電流能力的指標。


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鐵路牽引逆變器和轉換器、可再生能源發電系統以及工業電機控制設備等工業設備制造商,必須不斷滿足更高效率、更小尺寸和更高可靠性的需求。在這些系統中,異常情況下可能流經功率半導體模塊的大浪涌電流,功率半導體模塊可能會承受巨大的浪涌電流,因此必須具備足夠的浪涌電流耐受能力以應對這一挑戰。


IX800FXF2YMS4采用優化的SiC芯片設計,在異常條件下可實現300kA2s[1]的I2t特性,該特性是衡量二極管部分浪涌電流能力的指標。


該模塊的漏源導通電壓(檢測)(VDS(on)sense)為1.4V(典型值)[2],有助于降低導通損耗。其導通開關損耗(Eon)為185mJ(典型值)[3],關斷開關損耗(Eoff)為175mJ(典型值)[3],有助于降低開關損耗。這些特性有助于提升設備可靠性和效率,并縮小冷卻系統尺寸。


新產品采用iXPLV?封裝[4],具有出色安裝兼容性。該產品使用銀燒結接合技術,提高了SiC芯片接合部位的耐熱性和可靠性,實現了工業設備所需的175°C溝道溫度額定值。


此次新產品的加入,使東芝采用iXPLV?封裝的SiC MOSFET模塊數量增至四款,進一步拓寬了可選產品范圍。


東芝將繼續擴充面向工業設備的SiC MOSFET模塊產品陣容,提供更廣泛的產品選擇,以滿足多樣化的設備規格和應用需求。同時,公司還將繼續為提升工業設備的可靠性、效率和小型化作出貢獻。


應用:


工業設備


-鐵路牽引逆變器和轉換器


-可再生能源發電系統


-電力轉換系統(固態變壓器(SST)[5];不間斷電源(UPS);儲能系統(ESS)等)


-工業電機控制設備等


特性:


-規定I2t極限值(二極管)額定值:I2t=300kA2s


-低漏源導通電壓(檢測):VDS(on)sense=1.4V(典型值)


-低開關損耗:Eon=185mJ(典型值),Eoff=175mJ(典型值)


-結溫額定值:Tch=175°C


-采用iXPLV?封裝。


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應用電路示例


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鐵路牽引系統示例


注:本文檔所示應用電路示例僅供參考。用于量產的設計必須經過充分評估。提供該應用電路示例并不授予任何工業產權許可。


注:


[1]測試條件:Tch(initial)=175°C,VGS=-6V,半正弦波10ms 1脈沖,F.R.=1%


[2]測試條件:ID=800A,VGS=+20V,Tch=25°C


[3]測試條件:VDD=1800V,ID=800A,VGS=+20V/-6V,Cgs=100nF,RG(on)=1.2Ω,RG(off)=1.2Ω,Tch=175°C,LS?70nH


[4] iXPLV?:intelligent fleXible Package Low Voltage的縮寫


[5] SST:一種利用功率半導體實現小型化、高效率電壓轉換和先進功率控制的下一代變壓器。


iXPLV?是東芝電子元件及存儲裝置株式會社的商標。


本文提及的公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。


本文檔中的產品價格和規格、服務內容和聯系方式等信息,在公告之日仍為最新信息,但如有變更,恕不另行通知。


關于東芝電子元件及存儲裝置株式會社


東芝電子元件及存儲裝置株式會社是先進的半導體和存儲解決方案的領先供應商,公司累積了半個多世紀的經驗和創新,為客戶和合作伙伴提供分立半導體、系統LSI和HDD領域的杰出解決方案。


公司17,400名員工遍布世界各地,致力于實現產品價值的最大化,東芝電子元件及存儲裝置株式會社十分注重與客戶的密切協作,旨在促進價值共創,共同開拓新市場,期待為世界各地的人們建設更美好的未來并做出貢獻。


結論


這款 3300V SiC MOSFET 模塊是東芝工業碳化硅產品線的重要擴充,核心亮點在于明確給出二極管 I2t 極限指標,具備優異的浪涌電流承受能力,能夠應對工業電力系統里的異常電流沖擊。器件擁有較低的導通與開關損耗,配合 175°C 的溝道溫度規格以及銀燒結接合技術,提升高溫工況下的長期可靠性;標準化 iXPLV?封裝也便于客戶進行整機設計與替換。隨著該新品落地,東芝 iXPLV 封裝 SiC 模塊擴充至四款,產品選擇更加豐富。后續東芝將持續完善 SiC 模塊產品矩陣,面向鐵路、可再生能源、儲能、工業傳動等領域,持續為設備小型化、高效率與高可靠運行提供功率半導體方案。


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