【導讀】第三代 SiC、GaN 功率半導體開關速度達到納秒級別，母線電壓提升帶來嚴重的共模干擾，傳統高壓差分探頭很難兼顧帶寬、共模抑制與安全。麥科信 MOIP1200P 光隔離探頭采用自研 SigOFIT 光隔離方案，通過電光光電轉換 + 光纖傳輸、激光供電，實現被測端與示波器完全電氣隔離，消除地環路干擾。產品帶寬最高 1.2GHz，DC 共模抑制比可達 180dB，可承受 85kVpk 共模電壓，輸入電容僅 1pF，能安全測量 GaN 柵極這類敏感節點。搭載 ADHOMT 模數混合激光調制技術，具備零溫漂、免人工校準、可長期不間斷測試的特點，BNC 接口兼容各品牌示波器，適用于 SiC/GaN 雙脈沖測試、柵極驅動分析、電驅逆變器以及器件老化可靠性測試。
MOIP1200P光隔離探頭
二、核心優勢
帶寬高達 1.2 GHz，位居 MOIP 系列之首，較 MOIP1000P 進一步提升 20%，上升時間 ≤350 ps，精準捕捉 GaN 器件最快的開關邊沿;
共模抑制比(CMRR)DC 下高達 180 dB，即便在 1.2 GHz 最高頻點仍保有 106 dB，有效抑制高頻共模振蕩;
共模電壓高達 85 kVpk，配合短引線與低至 1 pF 的輸入電容，可安全測試 GaN 柵極等敏感節點;
差模測量范圍 ±0.01 V 至 ±20 kV(選配衰減頭)，底噪低至 <0.45 mVrms，直流增益精度優于 1%;
ADHOMT 模數混合激光調制技術，零溫漂、免人工校準、上電即測，支持 365 天×24 小時不間斷測試;
標準 BNC 接口，兼容所有品牌示波器。
三、系列參數
MOIP1200P 與 MOIP 系列共同參數表：
四、典型應用
覆蓋功率器件測試的關鍵環節：
SiC/GaN 雙脈沖測試：測量半橋浮地開關節點電壓，配合電流探頭與 MHO6 系高分辨率示波器，12-bit 垂直分辨率保障波形細節，支撐開關損耗精確評估;
GaN 柵極驅動分析：在高共模抑制下安全測量高邊柵極波形，1 pF 低輸入電容不擾動敏感柵極節點;
逆變器與電驅系統測試：同步測量高壓浮地電壓節點，母線電壓越高越能體現 85 kVpk 共模電壓優勢;
器件可靠性考核：配合功率循環與 HTOL 老化試驗臺，長時間連續監測器件開關節點波形，免校準、零溫漂特性支撐 365 天×24 小時不間斷測試。
MOIP探頭典型應用場景
關于麥科信
麥科信科技成立于2012年，是國家級專精特新“小巨人”企業。公司持續深耕前沿技術，聚焦示波器及探頭領域，屢次開創行業先河。成功研發業界首臺全觸控平板示波器，顛覆傳統儀器的笨重形態;基于安卓深度定制的SigtestUI 專業測試系統，成為首款專為測試場景定制的平臺，徹底解決工程師“攜帶不便、操作繁瑣”的痛點，重新定義便攜測試設備標桿。
憑借自研 SigOFIT 核心技術，麥科信在光隔離探頭上實現技術突破，解決了第三代半導體(SiC/GaN)在高壓、強干擾環境下的測試難題。目前，公司已構建起涵蓋高分辨率示波器及全系列精密探頭的產品矩陣，深度賦能新能源發電、儲能與微電網、新能源汽車、工業電源、軌道交通、電機驅動、數字能源等核心賽道。
秉持“超越測試的極限”之信念，麥科信持續探索物理世界的微觀精度，以極致精準的測試測量技術，守護全球客戶的信任與托付，構筑電力能源高效可控的智能世界。
結論
隨著 SiC、GaN 器件高頻化、高壓化，強共模噪聲成為功率器件測試的一大難點。麥科信 MOIP1200P 光隔離探頭依靠自研光纖隔離技術，在帶寬、共模抑制、耐壓能力上實現綜合提升，在不擾動敏感電路的前提下精準捕獲快速開關邊沿。免校準、支持長時間連續測試的特性，也契合功率半導體可靠性老化試驗需求。該探頭完善了麥科信示波器與探頭產品矩陣，為新能源汽車、儲能等賽道的第三代半導體研發與驗證提供高性能測試工具。
