【導讀】長江存儲本土 NAND 份額已經反超三星，疊加 AI 存儲需求爆發，三星、SK 海力士啟動國內存量閃存工廠的工藝升級。三星西安廠計劃改造至 286 層 V9 NAND，SK 海力士大連廠瞄準 300 層以上產品研發。但整套升級方案受美國設備出口管制約束，設備許可證能否獲批尚不明確。兩種結果將帶來截然不同的產業走向：許可落地會增加國內高堆疊 NAND 供給，緩解 AI SSD 緊缺；審批受阻，則會留給長江存儲更多份額提升和產品迭代窗口。
存儲市場格局正在迎來新變化。面對長江存儲份額持續攀升以及 AI 存儲需求快速增長，三星、SK 海力士選擇在國內存量工廠推進工藝升級，不過整個計劃受制于海外設備出口管制，最終走向充滿不確定性。
兩家廠商正分別對西安、大連 NAND 工廠實施工藝升級，開發更高堆疊層數閃存產品，相關升級事宜持續與美方溝通，暫未對外披露完整生產方案。
三星西安廠目前生產 200 層 NAND，占其全球 NAND 產能約 40%。代號 「Monami」 改造項目將在現有廠房內升級至 286 層 V9 NAND，不新建廠房、不擴產；目標 2026 年 12 月月投片 5000 片，2027 年 12 月爬坡至 4 萬片 / 月。
SK 海力士大連廠現量產 192 層產品，已獲批生產 240 層 NAND；后續計劃向美方申請在大連開展 300 層以上產品研發，為未來赴美量產同類產品鋪路，同時正與美國政府洽談在美國新建 NAND 工廠，市場解讀其意在以赴美投資換取國內產線更高技術迭代空間。
2026 年二季度長江存儲在中國本土 NAND 市場份額 38.5%，超越三星。長存主力為 160 層、232 層 NAND，294 層產品處于小批量階段，并布局 300 層以上產品研發；三星 286 層、SK 海力士 321 層旗艦高堆疊 NAND 優先在海外基地量產，國內工廠定位服務本土市場。
受美國設備管制影響，兩家企業向在華工廠引入美制設備，需要逐年單獨申請出口許可證。美方此前表態允許現有工廠維持基礎運營，但原則上不支持擴產與技術升級，本次升級所需設備許可能否獲批仍存不確定性。
產業層面，若許可順利落地，國內高堆疊 NAND bit 供給增加，AI SSD 緊缺局面有望得到緩解；若許可收緊、設備導入受阻，長存將獲得更長的產品驗證與份額提升窗口期。分析師指出，韓企此舉屬于典型的地緣風險對沖；長存競爭重心已轉向企業級市場、良率與成本優化，國產存儲設備、材料替代主線不變。
總結
韓企本次在華存量產線升級，不是單純的產能競賽，而是在管制框架下一次謹慎的攻防布局。一邊守住中國市場現金流，一邊用赴美建廠換取技術迭代籌碼。NAND 賽道的競爭，已經不只是層數、良率的比拼，更是供應鏈確定性的較量。長江存儲依托本土供應鏈與國產化需求，仍具備獨特優勢，高端企業級市場將成為下一階段雙方爭奪的主戰場。
