【導(dǎo)讀】新能源汽車 OBC、懸架電控、車載壓縮機(jī)等小三電系統(tǒng)長期承受高低溫循環(huán)，傳統(tǒng)分立器件方案布線繁瑣，高溫下參數(shù)漂移明顯，難以兼顧小型化、高效率與長壽命。方正微電子推出 SiC DIP32 功率模塊，搭載自研車規(guī) SiC 芯片，核心芯片完成 3000 小時(shí)可靠性測試。首發(fā) 1200V 35mΩ、1200V 60mΩ 兩款型號，支持 - 50℃~175℃全溫域工作，耐壓余量更高，同芯片面積載流能力提升 10%。相比分立方案，模塊雜散電感降低 35% 以上、系統(tǒng)熱阻下降超 15%，減輕 EMC 調(diào)試壓力，還能縮減散熱組件體積。產(chǎn)品通過 AQG324 認(rèn)證，后續(xù)還將擴(kuò)充電壓規(guī)格與多種封裝型號，形成完整 SiC 功率產(chǎn)品矩陣，為車載小三電提供標(biāo)準(zhǔn)化集成方案。
新能源汽車OBC、懸架控制、空調(diào)壓縮機(jī)等車載電氣系統(tǒng)長期承受高低溫循環(huán)，分立器件方案布線繁雜；高溫下器件參數(shù)漂移顯著，發(fā)熱高，性能不穩(wěn)定，很難同時(shí)實(shí)現(xiàn)小型化、高效率與長壽命。
針對這些痛點(diǎn)，方正微電子推出SiC DIP32功率模塊，搭載自研車規(guī)芯片，通過3000小時(shí)可靠性測試。耐壓裕量高，抗高壓沖擊；高溫下參數(shù)漂移小，性能穩(wěn)定。標(biāo)準(zhǔn)化集成方案可減少布線與調(diào)試，為車載小三電提供緊湊可靠的SiC功率方案。
全矩陣產(chǎn)品，持續(xù)迭代筑牢優(yōu)勢
方正微電子本次推出的SiC DIP32功率模塊，首發(fā)1200V 35mΩ及1200V 60mΩ兩大產(chǎn)品，精準(zhǔn)匹配OBC、懸架電控、車載DC-DC功率需求。依托自主迭代的先進(jìn)工藝平臺(tái)，產(chǎn)品矩陣將持續(xù)演進(jìn)，后續(xù)將陸續(xù)推出750V 20mΩ、1200V 16mΩ、1500V 20mΩ產(chǎn)品型號，覆蓋多電壓平臺(tái)、多功率等級應(yīng)用場景。同時(shí)，方正微電子將持續(xù)豐富封裝產(chǎn)品線，后續(xù)逐步落地DIP4in1、DIP21、DIP29全系列封裝產(chǎn)品，豐富整套“功率積木”的零件庫，為客戶提供多元化選型方案，從源頭保障供應(yīng)鏈穩(wěn)定可控，滿足車企長期量產(chǎn)交付。
全溫域超高耐壓，同等芯片面積出流更強(qiáng)
車載工況溫差跨度大，高低溫交替沖擊極易引發(fā)器件耐壓衰減，給OBC、懸架電控、DC-DC系統(tǒng)運(yùn)行帶來安全隱患。方正微電子推出的DIP32模塊實(shí)現(xiàn)-50℃~175℃全溫域穩(wěn)定承壓，搭載的芯片擊穿電壓BV超1450V，相較國際主流友商產(chǎn)品，耐壓余量提升120V，為復(fù)雜車載工況預(yù)留充足安全冗余，有效規(guī)避高壓擊穿、系統(tǒng)失效風(fēng)險(xiǎn)。對于相同面積芯片，該模塊采用的自研芯片出流能力較競品提升10%，真正實(shí)現(xiàn)面積不增加，載流更強(qiáng)勁，完美適配車載模塊的小型化、高功率密度設(shè)計(jì)趨勢。
車規(guī)級全鏈路可靠，高溫性能出眾
高溫參數(shù)漂移、長期工況失效，是車載功率器件面臨的核心挑戰(zhàn)。方正微電子從自研SiC芯片到模塊封裝，全鏈路完成嚴(yán)苛可靠性驗(yàn)證。產(chǎn)品在175℃極限高溫工況下，RDS (on)為56mΩ，相較國際友商同規(guī)格產(chǎn)品，高溫參數(shù)漂移量減少38.5%，大幅緩解高溫工況下器件性能衰減問題。更優(yōu)的高溫穩(wěn)定性，直接帶來系統(tǒng)級收益：器件導(dǎo)通損耗大幅降低，整機(jī)轉(zhuǎn)換效率顯著提升，可縮減10%以上散熱體積，降低散熱器、殼體等配套物料成本，助力小三電系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)輕量化、小型化升級。
DIP32模塊已順利通過AQG324車規(guī)權(quán)威認(rèn)證與2000小時(shí)可靠性驗(yàn)證；核心自研SiC芯片則是完成3000小時(shí)加嚴(yán)可靠性測試，3倍于行業(yè)常規(guī)驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)。雙重長效嚴(yán)苛驗(yàn)證，充分保障產(chǎn)品在高頻振動(dòng)、高低溫循環(huán)、長期滿載運(yùn)行的車載復(fù)雜工況下穩(wěn)定工作，大幅降低終端產(chǎn)品售后故障率，適配高標(biāo)準(zhǔn)車規(guī)小三電。
升級分立方案，提升系統(tǒng)性能與設(shè)計(jì)效率
傳統(tǒng)小三電OBC、懸架電控、DCDC方案多采用分立單管，存在布線復(fù)雜、雜散電感大、散熱不均、調(diào)試難度高的痛點(diǎn)，極大限制系統(tǒng)功率密度提升。方正微電子推出的SiC DIP32集成式功率模塊，可優(yōu)化傳統(tǒng)分立方案，升級核心參數(shù)：雜散電感降低35%以上，系統(tǒng)熱阻下降超15%。更低的雜散電感可有效抑制開關(guān)震蕩、降低電磁干擾，簡化OBC、懸架電控、DCDC的EMC調(diào)試；更低的系統(tǒng)熱阻，讓熱量傳導(dǎo)更高效，進(jìn)一步提升整機(jī)功率密度，大幅縮短客戶研發(fā)調(diào)試周期，降低整機(jī)設(shè)計(jì)與量產(chǎn)成本。無需拼搭分立器件，直接選用標(biāo)準(zhǔn)化功率積木，快速完成功率回路搭建。
重構(gòu)小三電碳化硅解決方案
從參數(shù)性能到系統(tǒng)收益，從單點(diǎn)產(chǎn)品到全矩陣布局，方正微電子將持續(xù)深耕車載碳化硅功率領(lǐng)域，以硬核產(chǎn)品力賦能新能源汽車小三電系統(tǒng)高效化、小型化、高可靠升級！
結(jié)論
車載小三電的高低溫交變環(huán)境，對功率器件的耐壓、高溫穩(wěn)定性提出嚴(yán)苛要求，分立器件方案已經(jīng)逐漸難以滿足小型化高功率密度需求。方正微電子 DIP32 SiC 集成模塊依靠自研芯片與優(yōu)化封裝，改善高溫參數(shù)漂移問題，提升耐壓冗余與載流能力，降低雜散電感與熱阻，簡化功率回路設(shè)計(jì)，縮短客戶調(diào)試周期。伴隨后續(xù)多電壓、多封裝新品陸續(xù)推出，方正微電子將持續(xù)完善車載 SiC 產(chǎn)品矩陣，為新能源汽車 OBC、懸架電控、車載 DC-DC 提供高可靠、可量產(chǎn)的碳化硅功率方案。
