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GTC 柏林：英飛凌深化與 NVIDIA 合作，聯合開發 800 VDC AI 數據中心 IBC 氮化鎵電源方案
GTC 柏林期間，英飛凌宣布深化和 NVIDIA 的合作，共同推進 AI 數據中心 800 VDC 供電架構，重點攻關高壓中間總線轉換器 IBC 方案。IBC 是 AI 服務器供電鏈路里關鍵的一環，英飛凌依托氮化鎵 GaN 器件高開關頻率、低損耗的特性，搭配控制器、驅動芯片，形成整套 IBC 系統方案，支持 800V 轉 50V/12V/6V 多種變換規格，兼顧功率密度與轉換效率。本次合作是雙方前期 800V 熱插拔機架項目的延續，范圍覆蓋中間總線轉換、電源路徑保護等，面向高密度兆瓦級機柜的配電、散熱與可維護需求。
2026-10-23
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邁來芯 MLX92342 兩線無 PCB 霍爾開關發布，適配車載區域架構、安全帶扣安全檢測
汽車電子向區域控制架構轉型后，大量傳感器布置在車身遠端，對器件體積、布線復雜度、功能安全診斷能力都提出更高要求。邁來芯新推出 MLX92342 可編程兩線制無 PCB 霍爾開關，以電流型兩線接口實現信號傳輸，相比傳統三線方案減少線束與重量，支持直接貼裝、省去 PCB。芯片按 ISO 26262 SEooC 開發，滿足 ASIL B，信號與診斷輸出時延低于 100μs，很適合安全帶扣這類對自檢時效要求嚴苛的安全場景。芯片支持磁鎖存、單極、全極多種工作模式，搭配 IMC? 集磁點技術可做橫向磁場檢測，參數可靈活配置，覆蓋車門鎖、液位檢測、執行器換向等多種離散位置監測場景，目前 MLX92342 已經正式量產，同步提供預編程版本 MLX92341。
2026-10-23
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無風扇 750W 醫療電源｜XP Power UCH750 兼顧安靜運行與高安全隔離
XP Power 全新發布 UCH750 系列 750W 自然風冷 AC-DC 電源，屬于同功率段里少見的無風扇醫療級方案，采用緊湊機架安裝結構，消除風扇噪聲同時減少易損件，降低設備后期維護壓力。該系列滿足 BF 級醫療設備要求，具備 2×MOPP 隔離，漏電流控制到 100μA 以內，擁有 IEC60601-1、IEC62368-1、UL、TüV 等安規認證，分為 Class I 和 Class II 兩個版本。效率最高可達 96%，整機尺寸 203.2 × 127.0 × 40.0 毫米，覆蓋 12V/24V/36V/48V/54V 五檔輸出，100VAC 輸入、50℃環境下可滿功率 750W 輸出，滿足 EN55032 B 級 EMC。自帶遠程開關、5V 待機供電以及過載、短路、過壓、過溫保護，除醫療監護、影像、家用醫療設備外，也適合測試測量、自動化、半導體、電信這類看重靜音和高在線率的場景，現已開放供貨，提供三年質保。
2026-10-21
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麥科信推出 MOIP1200P 光隔離探頭，依托 SigOFIT 技術應對 SiC/GaN 高頻高壓測試挑戰
第三代 SiC、GaN 功率半導體開關速度達到納秒級別，母線電壓提升帶來嚴重的共模干擾，傳統高壓差分探頭很難兼顧帶寬、共模抑制與安全。麥科信 MOIP1200P 光隔離探頭采用自研 SigOFIT 光隔離方案，通過電光光電轉換 + 光纖傳輸、激光供電，實現被測端與示波器完全電氣隔離，消除地環路干擾。產品帶寬最高 1.2GHz，DC 共模抑制比可達 180dB，可承受 85kVpk 共模電壓，輸入電容僅 1pF，能安全測量 GaN 柵極這類敏感節點。搭載 ADHOMT 模數混合激光調制技術，具備零溫漂、免人工校準、可長期不間斷測試的特點，BNC 接口兼容各品牌示波器，適用于 SiC/GaN 雙脈沖測試、柵極驅動分析、電驅逆變器以及器件老化可靠性測試。
2026-10-20
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Vishay推出SOT-227封裝功率模塊，在提高功率轉換效率的同時，無需改變PCB布局
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出四款內置650 V超結MOSFET芯片、采用行業標準SOT-227封裝的新型功率模塊--- VS-FC50SA65、VS-FC100SA65、VS-FC150SA65和VS-FC50LA65。Vishay Semiconductors VS-FC50SA65、VS-FC100SA65、VS-FC150SA65和VS-FC50LA65優異均衡導通損耗與開關損耗，支持工業應用高效功率轉換。
2026-10-16
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瑞薩擴充 GaN 產品線，推出低壓 GaN FET 面向 AI 數據中心與機器人
2026 年 10 月 8 日，中國北京訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布將其GaN產品組合擴展至低壓應用領域，率先在業界推出100V增強型（E-mode）GaN分立功率晶體管系列。RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC低壓GaN FET可在AI數據中心、人形機器人、工廠自動化和工業電機驅動、電動工具以及太陽能微型逆變器等對效率要求極高的高功率密度應用中，實現超高速開關速度和增強的熱性能。
2026-10-08
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英飛凌碳化硅技術賦能麥田能源 戶用儲能系統性能斬獲行業頂尖佳績
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布，為可再生能源解決方案的領先提供商麥田能源提供碳化硅（SiC）功率半導體器件，助力提升其戶用儲能系統（ESS）的運行效率。麥田能源采用英飛凌CoolSiC? MOSFET 1200 V G2 Q-DPAK封裝，將開關損耗降低70%。依托該技術，麥田能源PQ3-Ultra儲能系統實現光伏逆變器最高并網效率98.78%，電池充放電最高效率達98.47%。
2026-09-24
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東芝推出高浪涌耐受 3300V SiC MOSFET 模塊 助力工業電力設備提升可靠性
在鐵路牽引、新能源發電、大功率電力變換等工業場景中，功率模塊常會遭遇突發浪涌電流，對器件的耐受能力提出嚴苛要求。東芝近日發布型號為 IX800FXF2YMS4 的雙 SiC MOSFET 模塊，搭載第三代碳化硅芯片，額定 3300V、800A。產品明確標注二極管 I2t 指標，同時兼顧低導通損耗與開關損耗，搭配 iXPLV?封裝與銀燒結工藝，可滿足高溫工況需求，適配鐵路、儲能、工業電機控制等大功率電力轉換設備，幫助設備廠商兼顧效率、體積與運行穩定性。
2026-09-24
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新增 TO-92 通孔封裝！力特 TX00AT314AMA TMR 磁傳感器面世
美國 伊利諾伊州羅斯蒙特、中國 上海 — 2026年9月22日 — 為安全高效的電能傳輸提供多元化先進解決方案的領導企業Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS），今天宣布推出TX00AT314AMA全極TMR開關傳感器，這是TX00 TMR開關系列的最新成員。TX00AT314AMA采用引線式TO-92封裝且原產地為韓國，提供與SOT-23-3封裝的TX00AS314TRA相同性能的同時，還具備以下優異特性——高靈敏度磁場檢測、超低功耗，典型工作電流僅1.5 μA、全極性磁場檢測能力以及最高1 kHz的開關響應速度，為設計團隊提供了新的封裝選擇和更加多元化的供應鏈方案。
2026-09-22
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品英Pickering 滿足新車快速迭代、電動化和智能化需求
2026年8月21日，英國濱海克拉克頓訊——隨著中國汽車出口預計于2026年首破千萬輛大關，新能源汽車作為核心引擎正重塑全球產業格局，汽車電子系統的復雜度與安全驗證需求空前高漲。作為模塊化信號開關與仿真解決方案的全球領導者，英國Pickering集團將在2026中國汽車測試博覽會（8月26-28日，上海世博展覽館）集中展示覆蓋高壓測試、以太網故障注入、BMS驗證及傳感器仿真等關鍵領域的高性能產品矩陣。依托品英儀器（北京）有限公司的本地化支持，Pickering以近60年技術積淀和超25年長期供應保障，助力全球汽車制造商在超級配置時代實現高效、安全測試部署，搶占市場先機。
2026-08-21
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從繁至簡：拆解11kW矩陣式OBC的實現路徑
當電動汽車充電系統從“功能堆疊”走向“架構精簡”，OBC技術正重新定義電能轉換的效率邊界。繼首篇系統架構創新趨勢探討后，本文深度聚焦安森美11kW矩陣式OBC核心技術與器件應用。通過與首席應用工程師Daniel Goldmann的對話及技術拆解，從三個層面展開：矩陣式雙有源橋拓撲如何以單級變換兼容單/三相電網標準；EliteSiC MOSFET與頂部散熱T2PAK封裝如何協同優化熱管理與開關性能；開環控制算法如何以極簡傳感實現全工況軟開關。
2026-08-19
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告別誤操作風險：Littelfuse/C&K推出TSC系列撥動開關安全蓋
2026年8月18日，全球電能傳輸解決方案的領軍企業Littelfuse公司正式宣布推出Littelfuse/C&K? TSC系列撥動開關安全蓋。針對關鍵控制系統中撥動開關意外觸發可能引發的設備非預期運行、安全隱患及昂貴的停機損失，TSC系列通過精密的彈簧加載機構提供了可靠的物理防護方案。該產品專為苛刻環境設計，不僅具備單手操作的便捷性，還采用不銹鋼面板與多色ABS外殼，兼顧了堅固耐用與視覺識別需求。
2026-08-18
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