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Power Integrations 推出 CAPZero-4 X 電容放電 IC，大幅降低電源空載與待機功耗
Power Integrations 推出第四代 CAPZero-4 X 電容放電芯片，用于工業與消費類 AC-DC 電源。該器件在通電時切斷泄放電阻損耗，拔插斷電后再安全釋放 X 電容電荷，最高可減少 1000mW 空載待機損耗，器件自身功耗低于 0.75mW，支持零瓦空載設計。工作區間覆蓋 - 40℃至 125℃，適配戶外工業場景；引腳、...
2026-10-23
Power Integrations CAPZero? X
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安森美攜手陽光電源，碳化硅混合模塊落地 PowerTitan 3.0，提升公用儲能系統能效
隨著人工智能驅動的電力需求在全球加速增長，公用事業公司和能源供應商面臨著更高效地儲存和輸送電能的壓力。電池儲能系統（BESS）供應商正在尋求先進的電源轉換技術，以提升性能和系統經濟性。為滿足這些需求，陽光電源（Sungrow）在其 PowerTitan 3.0 儲能平臺中采用了安森美最新的碳化硅混合功率...
2026-10-15
陽光電源 安森美
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從高效轉換到安全防護，東芝功率器件助力AI算力電源設計
生成式 AI 帶動算力功耗快速上漲，AI 服務器單機架功耗大幅提升，傳統供電架構面臨能效、功率密度與高壓保護多重挑戰。東芝推出新一代功率半導體產品，包含 SiC MOSFET、低壓 MOSFET 以及 eFuse 電子保險絲，覆蓋 AI 服務器電源全鏈路，解決數據中心供電設計痛點。
2026-10-10
東芝功率器件 電源設計
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瑞薩 8×8mm 封裝 GaN 器件助力兆瓦級算力,賦能 AI 數據中心基建
2026 年 9 月 30 日，中國北京訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布率先在業界推出采用雙面散熱技術的650V GaN器件，面向800V高壓直流（HVDC）AI數據中心架構中的高功率密度電能轉換。全新D-Mode GaN TP65H020G4PLSGBD采用超緊湊型雙面散熱（DSC）PQFN封裝，導通電阻低至20m...
2026-10-08
瑞薩電子 650V GaN
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貿澤為工程師帶來Bourns新款電源解決方案
2026年10月7日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業自動化產品授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 供應Bourns的豐富解決方案。Bourns是汽車傳感器、電路保護解決方案、磁性產品和電阻產品的先進制造商，服務于包括工業、汽車、電信、計算和消費電子在內的諸多市場。貿澤目前庫存超過21,00...
2026-10-08
貿澤電子 Bourns
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依托微芯能量感知監控方案，構筑高可靠 48V 智能電源系統
隨著汽車、AI /數據中心、網絡與工業系統快速向 48V 電源架構遷移，以提升效率并支持更高功率需求，設計人員不僅需要對瞬時電壓和電流狀態的可視化監控，還需要系統能夠掌握長時間能耗使用情況，針對動態功率變化做出智能響應。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日推出PAC1761和PAC1861...
2026-09-29
Microchip 電源系統
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安森美推出嵌入式電源平臺 EPP，以晶圓級封裝革新 AI 與汽車電源系統設計
安森美 (onsemi) 今日發布嵌入式電源平臺（EPP），該平臺將多個裸片集成到單一硅器件中，以更高的功率密度重新定義系統級供電方式。通過在單一架構內協同優化電氣、機械和熱性能，EPP以高度集成的電源系統設計方法，使功率密度最高可達現有解決方案的3至5倍。這有助于客戶降低復雜性，并支持擴展以...
2026-09-17
安森美 嵌入式電源平臺
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SiC JFET的四大核心優勢：重新定義電路保護
固態斷路器（SSCB）正成為高壓電路保護的主流選擇。然而，要實現其系統級優勢，功率半導體的選擇至關重要——它直接決定了斷路器的導通損耗、散熱能力、封裝尺寸與長期可靠性。本文將聚焦安森美SiC JFET及Combo JFET，從運行溫度、封裝尺寸、智能感測與易用性四個維度，深度解析其為何成為固態斷路器...
2026-09-16
安森美SiC JFET 電路保護
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高精度管控+快速電芯均衡，意法半導體L9962芯片升級鋰電應用體驗
2026年9月11日，意法半導體發布全新L9962鋰電池管理芯片，專為10串以內鋰離子、鋰聚合物電池包量身打造。這款集成度極高的電池管理芯片，憑借高精度模數轉換、全溫域精準采樣、大電流電芯均衡等核心優勢，有效解決鋰電池使用過程中電芯壓差不均、采樣誤差大、續航損耗快、安全管控薄弱等行業常見問...
2026-09-11
意法半導體 L9962鋰電池管理芯片
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